Алмаз, выращенный CVD-методом является перспективным материалом в электронной технике в качестве высокоэффективных теплоотводов. Его выращивают из смеси метана и водорода при активации газа СВЧ-разрядом. Обычно в качестве подложки используются кремниевая или молибденовая пластина, засеянная алмазным нанометрическим порошком. Критическим моментом технологии является слабая адгезия выращенной пленки ориентацией (100) диаметром 57 мм и толщиной 3 мм напыляются слои титана и алюминия толщиной 0,1 мкм и 2 мкм, соответственно. Анодное окисление проводится в растворе щавелевой кислоты.
Анализ топологии поверхности показывает наличие регулярной организованной структуры с шагом 110-120 нм с ориентированной наноморфологической поверхностью. Подготовленная таким образом поверхность служит затравкой для роста CVD -алмазов в установке ASTeX.
Режим роста алмазов на модифицированной поверхности аналогичен, что и при росте алмаза на кремниевой пластине с засевом. Процесс роста CVD-алмаза протекает со скоростью 5,0 мкм/час, толщина выращеной пленки составляет 0,4 мм.
Полученные пленки CVD-алмаза имеют повышенную адгезию к подложке, выдерживают многократные циклы изменения температуры и пригодны для создания высоконадежных электронных приборов.
CVD метод роста алмаза на модифицированной поверхности
