После длительного периода выживания и откатывания назад в российской микроэлектронике случились знаковые явления. С одной стороны с 2006 года государство резко увеличило объемы финансирования подпрограммы Развитие электронной компонентной базы в рамках ФЦП «Национальная технологическая база». Затем в 2007 году были утверждены Концепция федеральной целевой программы и сама ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники на 2008 - 2015 годы». С другой стороны на передовых микроэлектронных предприятиях России начата реализация масштабных инвестиционных проектов по обновлению производства ОАО «Ангстрем».
Стоимость проекта оценена в 600 миллионов евро. В ОАО «НИИМЭ и Микрон» (Зеленоград) обнародованы планы и реализовываются проекты по созданию современного микро- и наноэлектронного производства. В декабре 2007 года завершено строительство ионой фабрики по изготовлению СБИС с проектными нормами 0,18 мкм на пластинах диаметром 200 мм. Лицензия на технологию приобретена у одного из мировых лидеров микро- и наноэлектроники - франко-итальянской компании STMicroelectronics. Технологическое и аналитическое оборудование закуплено непосредственно у его основных производителей.
В соответствии с планами предприятия на основе лицензионной технологии КМОП СБИС с энергонезависимой памятью в ОАО «НИИМЭ и Микрон» развернуты исследования и разработки по созданию различных модификаций базовой технологии и последующему переходу к технологиям с проектными нормами 130 и 90 нм. Но этим планы компании не ограничиваются. В 2007 году был разработан и представлен в Инвестиционный фонд Российской Федерации для совместного финансирования проект «Организация производства интегральных микросхем на пластинах диаметром 300 мм с проектными нормами 65-45 нм».
Очевидно, что планы частного бизнеса весьма грандиозны, а запланированные инвестиции исчисляются многими десятками миллиардов рублей.
Что предлагает государство в области наноэлектроники.
ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии ...», должна создать хорошие условия для последующей разработки нанотехнологий За 3 года (2008-2010) на создание этих условий предполагается затратить 24944,6 млн. руб., в том числе 15245,6 млн.р. (61%) капитальных вложений и 9699 млн. руб. (39%) на прочие расходы. Прочие расходы практически невозможно отнести на конкретные технологии. Инвестиционные проекты ФЦП, которые можно отнести к созданию инфраструктуры наноэлектроники:
1. «Центр высоких технологий на базе инженерно-производственного комплекса с синхротроном «Зеленоград» в ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина", г. Москва, Зеленоград (НИИФП). Всего - 949 млн.р., за 3 года.
2. «Научно-технологический центр нано- и микросистемной техники» в Московском государственном институте электронной техники, г. Москва, Зеленоград. Всего - 410 млн. руб. в 2008 году.
Таким образом, инвестиции государства в создание материальной базы наноэлектроники с 2008 по 2010 год составят 1359 млн. руб.
Как видно, Федеральной программы по развитию именно наноэлектроники нет.
Но, несмотря на отсутствие государственных программ по созданию технологий промышленной наноэлектроники основа для их создания имеется благодаря амбициозным планам отечественного бизнеса и, по крайней мере, целям одной ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники на 2008 - 2015 годы». Основная проблема, которая серьезно мешает осуществлению данной цели путем консолидации всех научных сил в данной области - профильных институтов Академии наук, университетов и промышленности - отсутствие хорошо оснащенного современным и перспективным оборудованием научного центра, в котором все эти организации могли осуществляя свои исследования и разработки новых наноэлектронных технологий.
Н.А.Шелепин, ОАО «НИИМЭ и Микрон», (Зеленоград)
Перспективы создания наноэлектронных технологий
