Проект предполагает производство нового поколения осветительных систем, в основу которых будут положены светодиодные чипы. Созданные при участии награждённого Нобелевской премией академика Ж.И.Алферова, чипы начинены многослойными полупроводниковыми гетероструктурами, уникальная технология производства которых в разработке учеников Ж.И.Алферова – М. Одноблюдова и его коллеги В. Бугорова позволяет избежать большинства дефектов, обычных в производстве гетероструктур, что позволяет приборам работать, практически, без потерь эффективности.
Светотехника с использованием полупроводников на основе наногетероструктур стабильно вытесняет привычные световые приборы, что объясняется меньшим потреблением полупроводниковой светотехникой электроэнергии и, как следствие, значительным удешевлением эксплуатации. Используется для промышленного, уличного и офисного освещения, а также в автомобилестроении.
Территориально производство таких систем будет налажено в Санкт-Петербурге. Финансовое обеспечение проекта предполагает вложение 3,35 млрд рублей, при этом 1,78 млрд явится вкладом ГК «Роснанотех».
Энергосберегающие системы освещения на светодиодных чипах
